嘉晶受惠AI伺服器電源升級與矽光子磊晶需求，外資連4買，上周漲37.34%至160元，創2007年9月底以來新高。 8吋矽磊晶產能自2026年第3季起滿載；6吋GaN利用率回升轉盈，8吋GaN已驗證試產，6吋SiC今年第2季量產。 Ge/Si磊晶已量產且需求超過產能，明年產能有機會擴至3.5-4倍。
漢磊發表Gen5 SiC DMOS平台，單元pitch微縮至3.3μm，導通損耗降12%、效能升約15%。 平台延續平面型架構，1200V產品晶圓測試率已穩定突破90%以上，兼顧可靠度與量產成本優勢。 應用擴至AI伺服器800V HVDC、電動車、儲能與超充樁，並規劃延伸至3.3kV以上。
金屬工業研究發展中心董事長交棒，由台灣金屬熱處理學會理事長吳忠春接任；吳忠春長期深耕金屬材料、熱處理技術及產學合作，可望進一步深化金屬中心「核心技術與新興應用並進」發展模式。 吳忠春現亦為南臺科技大學特聘教授，專長涵蓋金屬材料、顯微結構分析、熱處理分析等領域，兼具學術研究、人才培育與技術實務經驗，並長期與台灣金屬產業保持緊密連結，多年來持續投入產業技術交流與人才培育。 金屬中心表示，過去一年現
世界先進(5347-TW)暨VSMC董事長方略今(28)日表示，AI浪潮對全球半導體產生明顯的產能排擠效應，不只AI相關需求強勁，許多非AI應用的成熟製程產能也同步受到擠壓，世界先進目前8吋產能利用率已經「徹底爆掉」，大家都嫌不夠，預期此次AI浪潮帶來的缺貨效應將持續相當長的一段時間。 方略指出，目前全球半導體產業面臨的最大趨勢，就是AI帶動的大規模投資，使得相關資金、電力、水力、人才與產能持續
VSMC進度優於預期，方略稱今年第4季有機會風險性試產，明年第1季量產把握度高。 一期產能已全數被客戶預訂，2029年滿載目標可望提前；產品涵蓋電源管理、矽中介層等。 二期正蒐集財務、客戶與技術條件，暫不引進第三夥伴，仍與恩智浦合作。
櫃買指數今年以來漲50.29%，富櫃50漲81.57%、富櫃200漲66.19%。 截至9月22日，上櫃日均成交值2,248.41億元、興櫃102.13億元，交投熱絡。 外資持股市值比重升至24.61%創新高；上櫃及興櫃半導體總市值突破5兆元。
VSMC新加坡12吋晶圓廠正式啟用，從動土到開幕約22個月，實際廠房完工僅20.5個月，創新加坡晶圓廠建造紀錄。 VSMC聚焦40至130奈米特殊製程，規劃月產能4.4萬片12吋晶圓，應用涵蓋eFlash、電源管理與車用系統。 新廠預計帶來1,600個工作機會，並與新加坡7項產學合作。
NXP執行長Sotomayor出席VSMC新加坡12吋晶圓廠開幕，宣布新廠正式啟用。 新廠聚焦130奈米至40奈米，生產混合訊號、電源管理及類比產品，支援NXP成熟製程需求與Physical AI。 這是NXP自2015年收購Freescale以來最大投資，並強化全球供應鏈韌性與新加坡半導體生態系。
世界先進與恩智浦合資VSMC今在新加坡舉辦新廠開幕，已成具量產能力的12吋晶圓廠 方略稱新廠歷經約兩年建設，未來將服務全球客戶並強化半導體供應鏈韌性 台積電莊子壽到場見證，並在建設、技術移轉與員工培訓提供關鍵支持
台股受中秋長假前觀望與調節賣壓影響，高檔震盪，但低接買盤與AI族群支撐，多頭架構仍穩固。 法人認為升息循環告一段落後，市場焦點回到企業基本面，第三季財報與AI基礎建設需求成為關鍵。 看好2027年企業獲利仍有20%至30%成長空間，布局聚焦先進封裝、ASIC、PCB、CPO、散熱與設備族群。
